24V 100Ah litíumjónarafhlöður

Áhrifarík áferðarbygging getur aukið skammhlaupsstraum- og stuðlað að bættri afköstum sólarsellunnar. Þessi grein útskýrði fyrst tæringarhegðun kísilflísa í HF/HNO3/H2O kerfi. Með því að breyta hlutfalli ætingarlausnar, hitastigi og tíma voru tæringarhraði, endurspeglun kísilskífunnar og frumuúttaksbreytur rannsakaðar. Í tilraununum kom í ljós að tæringarhraði jókst fyrst og minnkaði síðan með auknu HF innihaldi í HF/HNO3/H2O kerfinu og jókst með hækkandi hitastigi. Varðandi endurspeglun, þá gaf HF:HNO3 hlutfallið 3:1 lægsta endurskin fyrir kísilskífur. Hins vegar, eftir PECVD and--endurskinshúð, minnkaði þessi kostur lítillega samanborið við oblátur sem voru unnar við aðrar ætingaraðstæður. Varðandi frumuúttaksbreytur sýndi HF:HNO3 hlutfallið 3:1 minni skilvirkni, en HF:HNO3 hlutfallið 1:5, með aðeins hærra endurspeglun, náði hæstu skilvirkni. Byggt á rannsóknum á tæringarhegðun kísilflísa í HF/HNO₃/H₂O kerfi, leggur þessi grein til nýrrar áferðaraðferðar sem felur í sér aukasýruætingu, sem er frábrugðin hefðbundnum framleiðsluferlum. Upphaflega fer kísilskífan í gegnum aðal ætingu í HNO₃-ríku æti, fylgt eftir með auka ætingu í HF-ríku æti. Þessi aðferð hámarkar yfirborðsáferðina og dregur úr tapi ljóss á kísilyfirborðinu. Eftir áferð var yfirborðsformgerð kísilskífanna greind með skanna rafeindasmásjá (SEM) og endurkastsviðið var mælt með Carry 5000 UV-Vis-NIR litrófsmæli. Lágmarks endurskinsgeta aukaætsunarferlisins (án endurvarpshúðunar) var 20,34%, 2,36% lægra en aðalætsunarferlisins (22,70%). Ennfremur var nýja auka ætingarferlið beitt við iðnaðarframleiðslu á sólarsellum og frumuúttaksbreytur voru greindar. Niðurstöður sýna að opinn-spenna, skammhlaupsstraumur- og skilvirkni sólarselnanna sem voru meðhöndlaðir með aukaætsunarferlinu batnaði allt í mismiklum mæli samanborið við þá sem notuðu aðalætsunarferlið, þar sem mesta nýtingin náði 15,45%.